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面这个KEEP指令是欧姆龙专门的保持指令。图二详解介绍KEEP指令。图二KEEP用来保持基于两个执行条件指的状态。这些执行条件用S和R标出。S是置位输出，R是复位输出。KEEP运算就象一个由S置位和R复位的锁存继电器。当S为ON时，其指也会置ON，并保持ON直到复位为止，在此期间不管S是否保持ON还是变为OFF。当R置ON时，其指也会置OFF，并保持OFF直到置位为止，在此期间不管R是否保持ON还是变为OFF。

废旧电缆利用方法
1.手工剥皮法：该法采用人工进行剥皮，效率低、成本高，而且工人的操作环境较差；
2.焚烧法：焚烧法是一种传统的方法，使废线缆的塑料皮燃烧，然后其中的铜，但产生的烟气污染极为严重，同时 ，在焚烧过程中铜线的表面严重氧化，降低了金属率，该法已经被各国严格禁止；
3.机械剥皮法：采用线缆剥皮机进行，该法仍需要人工操作，属半机械化，劳动强度大，效率低，而且只适用粗径线缆；
4.化学法：化学法废线缆技术是在上个世纪90年代提出的，一些 曾进行研究，我国在“八五”期间也进行过研究。该法有一个的缺点是产生的废液无法，对环境有较大的影响，故很少采用；
5.冷冻法：该法也是上个世纪九十年代提出的，采用液氮制冷剂，使废线缆在极低的温度下变脆，然后经过破碎和震动，使塑料皮与铜线段分离，我国在“八五”期间也曾经立项研究，但此法的缺点是成本高，难以进行工业化的生产

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关于“电线苏州电缆利用昆山电缆线”信息由企业自行，电线浅谈影响电力需求增长的主要因素（1）宏观经济增长状况加入世界贸易组织以后，对外贸易水平不断增长，对外依存度不断提高，世界经济的变化必然会对经济增长产生冲击，加国经济增长过度依赖于投资，因此我国经济增长具有很大的不确定性。电力需求与经济增长具有近似相同的趋势，随着宏观经济的波动也将出现需求的波动。电力需求与我国各个经济发展阶段经济发展水平紧密相连。因此，国内生产总值及其增长被公认为是对电力消费具有决定性的影响因素。经济增长及其带来的生活水平的提高，是促进电力消费增长的主要原因。GDP与电力消费之间存在着显着且稳定的正相关关系已被实证所证明。
人口增长及人均收入水平人均收入和人口增长都对电力需求产生重要影响。收入水平的提高和人口总量的增加都会增加对电力的需求。人口基数巨大，虽然由于政策的实施，我国生育率水平一直保持在较低的水平上，但是人口数的增长量还是十分可观的。2006年，我国人口增长率只有千分之5.28， 人口增加了692万。收入的增长带来了生活水平的提高，各种家用电器进入了城乡家庭，居民生活用电量逐年提高。居民生活用电量占全社会用电量比重也持续上升。（3）用电结构重型化经济发展的每个阶段都有与之相适应的消费结构和产业结构。经济正处于从重工业化向技术集约和深阶段升级，第二产业占有很大的比重，特别是工业消费了大量的电能资源。

测量电缆芯线测量电缆芯线与外皮的绝缘，或测量电容器引线与其外壳间的绝缘时，兆欧表的“相线”应与电缆芯线，或电容器的引线脚相连，“地线”应与电缆外皮，或电容器的外壳相连。“屏蔽”接电缆的绝缘纸。转动兆欧表转动兆欧表时，不要忽快忽慢。由于容性元件有一定的充电时间，故在初摇兆欧表时，兆欧表表针指示的电阻值很小，甚至为零，此时不一定说明所测元件绝缘已经损坏。所以应至少摇1min以后，待表针稳定时，读得的数据才是正确值。电流密度：在单位横截面积上通过的电流大小,称为电流密度。单位为A/mm2。电位：在电场中,单位正电荷从a点移到参考点时,电场力所的功,称为a点对参考点的电位。进行理论研究时,常取无限远点作为电位的参考点;在实用工程中,常取大地作为电位的参考点。电位的单位为V。电动势:单位正电荷由低电位移向高电位时非静电力对它所的功称为电动势。用字母E表示,单位为V6.电阻：导体能导电,同时对电流有阻力作用,这种阻碍电流通过的能力称为电阻,用字母R或r表示,单位为Ω。在相同一次额定电流、相同额定输出容量的情况下，电流互感器二次电流采用1A或5A，其结构和特性有较大的不同。采用1A比采用5A，其结构和特性有较大的不同。采用1A比采用5A的电流互感器匝数比大5倍，二次绕组匝数大5倍，路电压高，内阻大，励磁电流小，的难度大，价格略高。但采用1A可以大幅度降低电缆中的有功损耗(降低到采用5A的1/25)，在相同条件下，可增加电流回路电缆的允许长度。电流互感器的二次额定电流采用1A或是5A，需经技术经济比较确定。TN-C系统TN-C系统在TN-C接地系统中，地线和中性线是合二为一的。PEN线就是我们熟知的零线。设备的外壳与PEN线相连。所以所谓的外壳接地线，其实就是保护接零。当系统中出现了严重的三相不平衡，即IIb和Ic不相等，则有：Ia+Ib+Ic不等于0，PEN会出现较大的电流。有人会问那这样三相不平衡，家中电器外壳与PEN线相连不就有电压了吗？在TN-C接地系统中，变压器中性点出口处直接接地，相当于把零线电压给强制性地保持在零电位。主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成，比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM于同一个晶片上较为困难，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。（*1）单芯片单片机是指：将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微器。