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如今的高分辨率显示要求高性能的电缆具备低信号时延和低回损的特性。通常，这些系统在电缆互连时使用的是集束同轴电缆，但是由于非屏蔽双绞线（UTP）相对于同轴电缆的经济性，系统设计人员转而采用UTP传输设备用于RGB分量信号的传输。同时，用户在局域网布线中也可采用同一种UTP从而不必使用两种独立的电缆。为了满足对、数据UTP电缆的这一新要求，Belden研制出了一个全新的产品系列——Brilliance® VideoTwistTM 电缆，该电缆包括三种型号：Brilliance VideoTwi P、Brilliance Brilliance V r>

当数值等于500的时候停止。程序示例：当我们接通X001的时候D10里面的就会不停的增加。按住X002的时候程序就会不停的减小。然后我们再运用比较指令：CMP，D10，K500，M0.当D10里面的数值等于500的时候，M1的常闭点断。计数不再增加。运用比较指令CMP，D10，K0，M0.当D10里面的数值等于10的时候。M4的常闭点断，计数不再减小。在这里为大家补一下CMP指令：当我们接通X10后，C10的当前值与K100进 行表示。具体方法如下：将万用表拨在R×100或R×1K档上。红笔接触某一管脚，用黑表笔分别接另外两个管脚，这样就可得到三组（每组两次）的读数，当其中一组二次测量都是几百欧的低阻值时，若公共管脚是红表笔，所接触的是基极，且三极管的管型为PNP型；若公共管脚是黑表笔，所接触的是也是基极，且三极管的管型为NPN型。判别发射极和集电极由于三极管在时，两个P区或两个N区的掺杂浓度不同，如果发射极、集电极使用正确，三极管具有很强的放大能力，反之，如果发射极、集电极互换使用，则放大能力非常弱，由此即可把管子的发射极、集电极区别来。主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成，比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM于同一个晶片上较为困难，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。（*1）单芯片单片机是指：将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微器。接地引脚：作用是将集成电路内部的地线与外接电路的地线接通。集成电路一般具有一个接地引脚，电路图中在引脚旁标注“GND”字符。接地引脚外接电路的明显特征是：直接与电路图中的地线相连接，或者直接会有接地符号。当然有些集成电路可能有多个接地引脚，如上图，集成电路内部的前、后级单元分别有自己独立的接地引脚。有些集成电路用内部单元电路中闲置不用的信号引脚接地，以保证整个集成电路工作的稳定性。（版权所有）当然这样的接地不是真正的接地引脚，但在分析电路时可以不作严格区分。